Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD048N06L3GATMA1
IPD048N06L3GATMA1

IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD048N06L3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b4f496e4db0 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+36.3 грн
5000+ 33.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-311, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPD048N06L3GATMA1 за ціною від 31.78 грн до 94.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD048N06L3GATMA1 IPD048N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD048N06L3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b4f496e4db0 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
на замовлення 6374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.11 грн
10+ 69.13 грн
100+ 53.78 грн
500+ 42.78 грн
1000+ 34.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD048N06L3GATMA1 IPD048N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD048N06L3_DS_v02_00_en-3084763.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.24 грн
10+ 76.39 грн
100+ 51.27 грн
500+ 43.46 грн
1000+ 35.45 грн
2500+ 33.31 грн
5000+ 31.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD048N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd048n06l3_rev2.0.pdf IPD048N06L3 G
товар відсутній
IPD048N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd048n06l3_rev2.0.pdf N-channel MOSFET
товар відсутній