IPD04N03LAG infineon


Виробник: infineon
0522+
на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD04N03LAG infineon

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPD04N03LAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD04N03LA G Виробник : INFINEON IP%28D%2CF%2CS%2CU%2904N03LA_G.pdf 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD04N03LAG Виробник : infineon to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD04N03LA G IPD04N03LA G Виробник : Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%2904N03LA_G.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V
товар відсутній
IPD04N03LA G IPD04N03LA G Виробник : Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%2904N03LA_G.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V
товар відсутній
IPD04N03LA G IPD04N03LA G Виробник : Infineon Technologies DC_DC_Selection_1-520800.pdf MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2
товар відсутній