Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD050N03LGATMA1
IPD050N03LGATMA1

IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies

3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPD050N03LGATMA1 за ціною від 25.16 грн до 77.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.95 грн
5000+ 29.08 грн
10000+ 28.58 грн
12500+ 26.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+30.13 грн
5000+ 29.27 грн
10000+ 28.77 грн
12500+ 27.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32 грн
5000+ 29.35 грн
12500+ 28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
293+39.99 грн
305+ 38.4 грн
500+ 37.01 грн
1000+ 34.52 грн
2500+ 31.02 грн
Мінімальне замовлення: 293
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27908-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+48.98 грн
500+ 38.25 грн
1000+ 27.99 грн
2500+ 25.68 грн
5000+ 25.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
225+52.05 грн
228+ 51.52 грн
257+ 45.53 грн
260+ 43.47 грн
500+ 36.23 грн
1000+ 28.63 грн
Мінімальне замовлення: 225
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+53.43 грн
12+ 48.33 грн
25+ 47.84 грн
100+ 40.77 грн
250+ 37.38 грн
500+ 32.3 грн
1000+ 26.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+56.17 грн
9+ 39.64 грн
25+ 34.98 грн
27+ 30.25 грн
73+ 28.58 грн
500+ 28.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD050N03LG_DataSheet_v02_01_EN-3362524.pdf MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.01 грн
10+ 52.59 грн
100+ 38.39 грн
500+ 34.58 грн
1000+ 27.91 грн
2500+ 27.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.4 грн
6+ 49.4 грн
25+ 41.98 грн
27+ 36.3 грн
73+ 34.3 грн
500+ 33.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27908-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+70.77 грн
13+ 61.94 грн
100+ 48.98 грн
500+ 38.25 грн
1000+ 27.99 грн
2500+ 25.68 грн
5000+ 25.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 13512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.27 грн
10+ 60.92 грн
100+ 47.41 грн
500+ 37.71 грн
1000+ 30.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній