на замовлення 2000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 139.42 грн |
| 10+ | 114.4 грн |
| 100+ | 78.78 грн |
| 250+ | 73.44 грн |
| 500+ | 66.43 грн |
| 1000+ | 59.82 грн |
| 2000+ | 52.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD052N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPD052N10NF2SATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD052N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||
 |
IPD052N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V |
товар відсутній |