IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 62.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPD100N04S402ATMA1 за ціною від 65.19 грн до 183.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 26294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V |
на замовлення 4318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 26294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
товар відсутній |