Продукція > INFINEON > IPD13N03LAG

IPD13N03LAG INFINEON

Виробник: INFINEON
0733+
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD13N03LAG INFINEON

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPD13N03LAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD13N03LAG Виробник : infineon 07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD13N03LA G Виробник : INFINEON ipd13n03la_rev2.1_g.pdf 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD13N03LAG Виробник : INFINEON 09+
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD13N03LAG Виробник : INFINEON SOT-252
на замовлення 6352 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD13N03LAG Виробник : infineon to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD13N03LA G IPD13N03LA G Виробник : Infineon Technologies ipd13n03la_rev2.1_g.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
товар відсутній
IPD13N03LA G IPD13N03LA G Виробник : Infineon Technologies ipd13n03la_rev2.1_g.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
товар відсутній
IPD13N03LA G IPD13N03LA G Виробник : Infineon Technologies DC_DC_Selection_1-520800.pdf MOSFET N-Ch 25V 30A DPAK-2
товар відсутній