IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 24.23 грн |
5000+ | 23.16 грн |
12500+ | 22.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPD350N06LGBTMA1 за ціною від 17.43 грн до 63.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPD350N06LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD350N06LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD350N06LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD350N06LGBTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 68W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD350N06LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD350N06LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V |
на замовлення 4444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD350N06LGBTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 68W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1987 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IPD350N06LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
IPD350N06LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
IPD350N06LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
товар відсутній |