Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N06S4L08ATMA2
IPD50N06S4L08ATMA2

IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies

ipd50n06s4l-08_ds_10.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD50N06S4L08ATMA2 за ціною від 31.35 грн до 103.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4l-08_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+37.13 грн
5000+ 35.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.66 грн
10+ 68.99 грн
100+ 53.67 грн
500+ 42.69 грн
1000+ 34.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4L_08_DS_v01_00_en-1731795.pdf MOSFET MOSFET
на замовлення 7991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.77 грн
10+ 76.01 грн
100+ 51.15 грн
500+ 43.38 грн
1000+ 35.27 грн
2500+ 31.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4l-08_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
113+103.91 грн
125+ 93.42 грн
153+ 76.5 грн
200+ 69.28 грн
500+ 56.99 грн
1000+ 45.29 грн
2000+ 43.43 грн
2500+ 41.73 грн
5000+ 39.52 грн
Мінімальне замовлення: 113
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4l-08_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4l-08_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній