IPD50R280CEAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 39.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD50R280CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD50R280CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.
Інші пропозиції IPD50R280CEAUMA1 за ціною від 41.89 грн до 126.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD50R280CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 550V 18.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IPD50R280CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 18.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IPD50R280CEAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50R280CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm |
на замовлення 6464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IPD50R280CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IPD50R280CEAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50R280CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm |
на замовлення 6464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IPD50R280CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 18.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IPD50R280CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 18.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
IPD50R280CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IPD50R280CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V |
товар відсутній |