на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 220.42 грн |
10+ | 178.89 грн |
100+ | 124.84 грн |
500+ | 105.48 грн |
1000+ | 90.13 грн |
2500+ | 83.45 грн |
5000+ | 80.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 76W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPD60R170CFD7ATMA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IPD60R170CFD7ATMA1 | Виробник : Infineon |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
IPD60R170CFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||
IPD60R170CFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 76W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V |
товар відсутній |
||
IPD60R170CFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 76W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V |
товар відсутній |