Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R600P6ATMA1
IPD60R600P6ATMA1

IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies

DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.72 грн
10+ 76.94 грн
100+ 59.85 грн
500+ 47.6 грн
1000+ 38.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD60R600P6ATMA1 за ціною від 35.27 грн до 103.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPx60R600P6_DataSheet_v02_03_EN-3362718.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.85 грн
10+ 84.03 грн
100+ 56.99 грн
500+ 48.29 грн
1000+ 39.32 грн
2500+ 37.07 грн
5000+ 35.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r600p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014edf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r600p6-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r600p6-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r600p6-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товар відсутній