IPD70R360P7SAUMA1

IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fb1440d5c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 102500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.46 грн
5000+ 24.27 грн
12500+ 23.15 грн
25000+ 21.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.

Інші пропозиції IPD70R360P7SAUMA1 за ціною від 21.39 грн до 77.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002815973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+41.8 грн
500+ 33.63 грн
1000+ 24.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+53.29 грн
25+ 38.69 грн
69+ 36.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
216+54.09 грн
220+ 53.04 грн
274+ 42.5 грн
277+ 40.57 грн
500+ 34.21 грн
1000+ 23.03 грн
Мінімальне замовлення: 216
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.14 грн
9+ 42.76 грн
25+ 32.24 грн
69+ 30.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002815973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+56.93 грн
50+ 49.4 грн
100+ 41.8 грн
500+ 33.63 грн
1000+ 24.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+59.37 грн
12+ 50.23 грн
25+ 49.25 грн
100+ 38.06 грн
250+ 34.88 грн
500+ 30.5 грн
1000+ 21.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fb1440d5c Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 106482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.95 грн
10+ 50.44 грн
100+ 39.21 грн
500+ 31.19 грн
1000+ 25.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD70R360P7S_DataSheet_v02_02_EN-3362786.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 162036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.56 грн
10+ 53.32 грн
100+ 36.53 грн
500+ 31.62 грн
1000+ 24.64 грн
2500+ 24.05 грн
5000+ 23.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
151+77.52 грн
177+ 65.97 грн
206+ 56.57 грн
218+ 51.64 грн
500+ 44.79 грн
1000+ 40.34 грн
2500+ 37.01 грн
5000+ 35.51 грн
10000+ 33.26 грн
Мінімальне замовлення: 151
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній