IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 33.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm.
Інші пропозиції IPD90N04S4L04ATMA1 за ціною від 33.66 грн до 104.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD90N04S4L04ATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
на замовлення 48718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IPD90N04S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IPD90N04S4L04ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
на замовлення 48718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IPD90N04S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
на замовлення 1571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IPD90N04S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IPD90N04S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
IPD90N04S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
IPD90N04S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IPD90N04S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |