IPD90R1K2C3ATMA2

IPD90R1K2C3ATMA2 Infineon Technologies


Infineon-IPD90R1K2C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f13d4a88e0220 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90R1K2C3ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD90R1K2C3ATMA2 за ціною від 41.54 грн до 107.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD90R1K2C3ATMA2 IPD90R1K2C3ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90R1K2C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f13d4a88e0220 Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.17 грн
10+ 85.66 грн
100+ 68.18 грн
500+ 54.14 грн
1000+ 45.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD90R1K2C3ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd90r1k2c3-datasheet-v02_01-en.pdf P7 Power MOSFET Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD90R1K2C3ATMA2 IPD90R1K2C3ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD90R1K2C3_DataSheet_v02_01_EN-1863859.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
товар відсутній