Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPDD60R125G7XTMA1
IPDD60R125G7XTMA1

IPDD60R125G7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPDD60R125G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161706cba27778f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1700+161.5 грн
Мінімальне замовлення: 1700
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDD60R125G7XTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPDD60R125G7XTMA1 за ціною від 148.79 грн до 385.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPDD60R125G7_DataSheet_v02_01_EN-3164633.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+311.54 грн
10+ 280.35 грн
100+ 218.54 грн
500+ 198.61 грн
1000+ 167.39 грн
3400+ 158.76 грн
8500+ 148.79 грн
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDD60R125G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161706cba27778f Description: MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+311.85 грн
10+ 252.63 грн
100+ 204.33 грн
500+ 170.45 грн
IPDD60R125G7XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDD60R125G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161706cba27778f IPDD60R125G7XTMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+385.4 грн
5+ 240.79 грн
12+ 227.51 грн
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipdd60r125g7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 10-Pin HDSOP EP T/R
товар відсутній