IPL60R185C7AUMA1

IPL60R185C7AUMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPL60R185C7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b42d65c55913 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
на замовлення 2922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.63 грн
10+ 163.71 грн
100+ 132.42 грн
500+ 110.46 грн
1000+ 94.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R185C7AUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 77W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPL60R185C7AUMA1 за ціною від 114.25 грн до 266.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPL60R185C7AUMA1 IPL60R185C7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPL60R185C7_DS_v02_01_EN-3164671.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+266.59 грн
10+ 236.04 грн
100+ 168.72 грн
500+ 143.48 грн
1000+ 120.89 грн
3000+ 114.92 грн
6000+ 114.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPL60R185C7AUMA1 IPL60R185C7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPL60R185C7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b42d65c55913 Description: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товар відсутній