Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R2K1C6SATMA1
IPL60R2K1C6SATMA1

IPL60R2K1C6SATMA1 Infineon Technologies

DS_IPL60R2K1C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e3d01ca041b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 21.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 176342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
919+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 919
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R2K1C6SATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V, Power Dissipation (Max): 21.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-2, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPL60R2K1C6SATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPL60R2K1C6SATMA1 IPL60R2K1C6SATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPL60R2K1C6S_2_0-1225257.pdf MOSFET N-Ch 600V 2.3A ThinPAK 5x6
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPL60R2K1C6SATMA1 IPL60R2K1C6SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 234ds_ipl60r2k1c6s_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
товар відсутній
IPL60R2K1C6SATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPL60R2K1C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e3d01ca041b IPL60R2K1C6SATMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
IPL60R2K1C6SATMA1 IPL60R2K1C6SATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPL60R2K1C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e3d01ca041b Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 21.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товар відсутній