Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN95R1K2P7ATMA1
IPN95R1K2P7ATMA1

IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-SOT223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPN95R1K2P7ATMA1 за ціною від 33.72 грн до 116.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 5868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.22 грн
10+ 66.97 грн
100+ 52.04 грн
500+ 41.39 грн
1000+ 33.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN95R1K2P7_DS_v02_00_EN-3164894.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.05 грн
10+ 102.88 грн
100+ 69.43 грн
500+ 56.21 грн
1000+ 44.33 грн
3000+ 40.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPN95R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c IPN95R1K2P7 SMD N channel transistors
товар відсутній
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipn95r1k2p7-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній