IPP019N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 47.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP019N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPP019N06NF2SAKMA1 за ціною від 58.39 грн до 178.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP019N06NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube |
на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP019N06NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP019N06NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP019N06NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP019N06NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP019N06NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V |
на замовлення 701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP019N06NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP019N06NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP019N06NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube |
товар відсутній |