IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 177+ | 65.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 191A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPP019N08NF2SAKMA1 за ціною від 61.14 грн до 202.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 191A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: StrongIRFET™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 147A Pulsed drain current: 764A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 124nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: StrongIRFET™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 147A Pulsed drain current: 764A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 124nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |