IPP023N10N5AKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 750 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 476.17 грн |
| 10+ | 393.94 грн |
| 25+ | 278.28 грн |
| 100+ | 247.14 грн |
| 250+ | 235.88 грн |
| 500+ | 223.95 грн |
| 1000+ | 198.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP023N10N5AKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPP023N10N5AKSA1 за ціною від 283.69 грн до 589.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP023N10N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP023N10N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPP023N10N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPP023N10N5AKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPP023N10N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPP023N10N5AKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |