Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP030N10N3GXKSA1
IPP030N10N3GXKSA1

IPP030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp030n10n3g_rev21.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPP030N10N3GXKSA1 за ціною від 171.96 грн до 517.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp030n10n3g_rev21.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+233.79 грн
10+ 229.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp030n10n3g_rev21.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+314.87 грн
10+ 301.68 грн
25+ 267.62 грн
50+ 256.93 грн
100+ 216.38 грн
250+ 197.62 грн
500+ 171.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+321.84 грн
3+ 268.48 грн
4+ 259.51 грн
9+ 245.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp030n10n3g_rev21.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+338.66 грн
36+ 324.47 грн
41+ 287.84 грн
50+ 276.34 грн
100+ 232.72 грн
250+ 212.54 грн
500+ 184.95 грн
Мінімальне замовлення: 35
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+386.21 грн
3+ 334.57 грн
4+ 311.41 грн
9+ 294.02 грн
50+ 282.42 грн
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP030N10N3G_DS_v02_01_en-1731887.pdf MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+418.97 грн
10+ 400.03 грн
25+ 290.21 грн
100+ 248.47 грн
250+ 245.82 грн
500+ 198.11 грн
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP030N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+437.21 грн
50+ 333.83 грн
100+ 286.14 грн
500+ 238.69 грн
1000+ 204.38 грн
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Виробник : INFINEON 1849753.pdf Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+500.97 грн
10+ 344.14 грн
100+ 283.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp030n10n3g_rev21.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+517.75 грн
31+ 377.42 грн
50+ 334.84 грн
100+ 303.29 грн
200+ 264.4 грн
500+ 236.41 грн
1000+ 222.31 грн
2000+ 221.48 грн
Мінімальне замовлення: 23
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp030n10n3g_rev21.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)