Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP037N06L3GXKSA1
IPP037N06L3GXKSA1

IPP037N06L3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp037n06l3_rev2.5.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP037N06L3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPP037N06L3GXKSA1 за ціною від 47.5 грн до 165.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp037n06l3_rev2.5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+110.21 грн
10+ 102 грн
100+ 86.99 грн
500+ 69.54 грн
1000+ 54.31 грн
2500+ 50.22 грн
5000+ 47.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp037n06l3_rev2.5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
105+110.91 грн
114+ 102.66 грн
133+ 87.54 грн
500+ 69.99 грн
1000+ 54.66 грн
2500+ 50.54 грн
5000+ 47.81 грн
Мінімальне замовлення: 105
IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP037N06L3_Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4561341f7d38 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.31 грн
10+ 107.05 грн
100+ 85.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3GXKSA1 Виробник : INFINEON INFNS15805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+165.01 грн
10+ 104.06 грн
100+ 88.45 грн
500+ 69.71 грн
1000+ 57.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp037n06l3_rev2.5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp037n06l3_rev2.5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP037N06L3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP037N06L3_DS_v02_07_en_5b1_5d-3164903.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP037N06L3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній