IPP040N08NF2SAKMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 120.41 грн |
| 10+ | 98.86 грн |
| 25+ | 88.45 грн |
| 100+ | 71.78 грн |
| 500+ | 58.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP040N08NF2SAKMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPP040N08NF2SAKMA1 за ціною від 57.36 грн до 157.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP040N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 1183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP040N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V |
на замовлення 814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
на замовлення 208000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
товар відсутній |