Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP045N10N3 G
IPP045N10N3 G

IPP045N10N3 G Infineon Technologies

170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
63+184.36 грн
66+ 177.34 грн
100+ 171.31 грн
250+ 160.19 грн
500+ 144.28 грн
Мінімальне замовлення: 63
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP045N10N3 G Infineon Technologies

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPP045N10N3 G за ціною від 94.09 грн до 213.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP045N10N3 G IPP045N10N3 G Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP045N10N3_G_DataSheet_v02_09_EN-3362488.pdf MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.35 грн
10+ 176.78 грн
25+ 145.11 грн
100+ 124.57 грн
250+ 121.91 грн
500+ 103.36 грн
1000+ 94.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP045N10N3 G Виробник : Infineon
на замовлення 86450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP045N10N3G Виробник : Infineon technologies
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP045N10N3G Виробник : Infineon Technologies Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
товар відсутній