IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 77.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPP045N10N3GXKSA1 за ціною від 60.18 грн до 239.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP045N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP045N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP045N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP045N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP045N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP045N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 7655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP045N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP045N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V |
на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP045N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP045N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP045N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G TIPP045n10n3g кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IPP045N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |