IPP048N04NGXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP048N04NGXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPP048N04NGXKSA1 за ціною від 49.95 грн до 111.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPP048N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPP048N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPP048N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPP048N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPP048N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IPP048N04NGXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 70A Power dissipation: 79W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IPP048N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IPP048N04NGXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 70A Power dissipation: 79W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |