IPP048N12N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 101.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP048N12N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0041 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPP048N12N3GXKSA1 за ціною від 138.88 грн до 313.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP048N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP048N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP048N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP048N12N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP048N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP048N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP048N12N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0041 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP048N12N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP048N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 60 V |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP048N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IPP048N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPP048N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPP048N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
товар відсутній |