IPP051N15N5AKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 4113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 200.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP051N15N5AKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V.
Інші пропозиції IPP051N15N5AKSA1 за ціною від 218.54 грн до 532.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP051N15N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP051N15N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP051N15N5AKSA1 Код товару: 197743 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
| IPP051N15N5AKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 115A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
IPP051N15N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IPP051N15N5AKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 115A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |