IPP057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm.
Інші пропозиції IPP057N08N3GXKSA1 за ціною від 72.4 грн до 195.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP057N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP057N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP057N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP057N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP057N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 1906 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP057N08N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm |
на замовлення 634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP057N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |