IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPP072N10N3GXKSA1 за ціною від 55.1 грн до 187.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 218000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3 Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 80A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 7.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V |
на замовлення 2247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3 Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 80A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 7.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |