Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP084N06L3GXKSA1
IPP084N06L3GXKSA1

IPP084N06L3GXKSA1 Infineon Technologies

IPP_B084N06L3_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4592273f7db2 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
380+53.02 грн
Мінімальне замовлення: 380
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP084N06L3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPP084N06L3GXKSA1 за ціною від 82.66 грн до 83.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP084N06L3GXKSA1 IPP084N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i_084n06l3_rev2.24.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP084N06L3GXKSA1 IPP084N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i_084n06l3_rev2.24.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
140+83.19 грн
Мінімальне замовлення: 140
IPP084N06L3GXKSA1 IPP084N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i_084n06l3_rev2.24.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP084N06L3GXKSA1 IPP084N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i_084n06l3_rev2.24.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP084N06L3GXKSA1 IPP084N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP_B084N06L3_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4592273f7db2 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
товар відсутній