IPP110N20N3GXKSA1

IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies


ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+418.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPP110N20N3GXKSA1 за ціною від 279.06 грн до 619.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+446.36 грн
3+ 317.81 грн
7+ 300.43 грн
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+524.3 грн
50+ 403.13 грн
100+ 360.69 грн
500+ 298.67 грн
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+531.43 грн
25+ 473.9 грн
50+ 459.27 грн
100+ 420.3 грн
200+ 384.82 грн
Мінімальне замовлення: 23
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+535.63 грн
3+ 396.04 грн
7+ 360.51 грн
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en-1731855.pdf MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+571.7 грн
25+ 448.37 грн
100+ 345.82 грн
250+ 345.16 грн
500+ 306.43 грн
1000+ 279.06 грн
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : INFINEON INFNS17046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+619.36 грн
5+ 531.74 грн
10+ 443.36 грн
50+ 392.22 грн
100+ 344.08 грн
250+ 328.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP110N20N3GXKSA1
Код товару: 144237
IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній