на замовлення 1489 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.76 грн |
| 10+ | 35.32 грн |
| 100+ | 23.03 грн |
| 500+ | 18.63 грн |
| 1000+ | 18.03 грн |
| 1500+ | 17.96 грн |
| 4500+ | 16.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPS70R900P7SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPS70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30.5W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm.
Інші пропозиції IPS70R900P7SAKMA1 за ціною від 19.47 грн до 46.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPS70R900P7SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPS70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30.5W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm |
на замовлення 3544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPS70R900P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPS70R900P7SAKMA1 Код товару: 156248 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||
 |
IPS70R900P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IPS70R900P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IPS70R900P7SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товар відсутній |