Продукція > INFINEON > IPT012N06NATMA1
IPT012N06NATMA1

IPT012N06NATMA1 INFINEON

3919297.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT012N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 313 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+391.95 грн
25+ 358.42 грн
100+ 301.68 грн
500+ 211.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT012N06NATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPT012N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 313 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 313A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPT012N06NATMA1 за ціною від 208.43 грн до 477.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPT012N06NATMA1 IPT012N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT012N06N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015ad1610de5208c Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+406.7 грн
10+ 335.59 грн
100+ 279.67 грн
500+ 231.58 грн
1000+ 208.43 грн
IPT012N06NATMA1 IPT012N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT012N06N_DataSheet_v02_01_EN-3362760.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+435.53 грн
10+ 368.2 грн
25+ 304.23 грн
100+ 267.03 грн
250+ 258.4 грн
500+ 235.15 грн
1000+ 211.9 грн
IPT012N06NATMA1 IPT012N06NATMA1 Виробник : INFINEON 3919297.pdf Description: INFINEON - IPT012N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 313 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+477.65 грн
10+ 391.95 грн
25+ 358.42 грн
100+ 301.68 грн
500+ 211.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPT012N06NATMA1 IPT012N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt012n06n-datasheet-v02_01-en.pdf 60V Power-Transistor
товар відсутній
IPT012N06NATMA1 IPT012N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT012N06N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015ad1610de5208c Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V
товар відсутній