IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 343.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPW60R037P7XKSA1 за ціною від 382.99 грн до 1448.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V |
на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPW60R037P7XKSA1 Код товару: 173232 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
|
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IPW60R037P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |