Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW60R190E6FKSA1
IPW60R190E6FKSA1

IPW60R190E6FKSA1 Infineon Technologies

ipa60r190e6_2_0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+163.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPW60R190E6FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 151W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS E6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPW60R190E6FKSA1 за ціною від 141.05 грн до 372.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPW60R190E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801286cadc33a2932 Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+257.31 грн
30+ 196.59 грн
120+ 168.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipa60r190e6_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
39+297.83 грн
47+ 250.45 грн
50+ 226.13 грн
100+ 171.5 грн
Мінімальне замовлення: 39
IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6FKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003614948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+372.38 грн
10+ 295.83 грн
100+ 242.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPW60R190E6FKSA1 Виробник : Infineon IPW60R190E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801286cadc33a2932 Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; IPW60R190E6 TIPW60r190e6
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+141.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipa60r190e6_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipa60r190e6_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPW60R190E6_DS_v02_04_EN-1732098.pdf MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
товар відсутній
IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній