на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 732.04 грн |
| 10+ | 617.96 грн |
| 25+ | 476.4 грн |
| 100+ | 438.63 грн |
| 240+ | 437.3 грн |
| 480+ | 402.85 грн |
| 1200+ | 355.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPW65R041CFD7XKSA1 за ціною від 412.84 грн до 765.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R041CFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPW65R041CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 50A Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPW65R041CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IPW65R041CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPW65R041CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: 650V FET COOLMOS TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V |
товар відсутній |