IPW65R145CFD7AXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPW65R145CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.122 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 429.62 грн |
| 10+ | 378.33 грн |
| 25+ | 315.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R145CFD7AXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R145CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.122 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 98W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPW65R145CFD7AXKSA1 за ціною від 210.04 грн до 481.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R145CFD7AXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET AUTOMOTIVE |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPW65R145CFD7AXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET Transistor |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
IPW65R145CFD7AXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V |
товар відсутній |