IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1012.44 грн |
| 10+ | 858.66 грн |
| 100+ | 742.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW90R120C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPW90R120C3XKSA1 за ціною від 571.01 грн до 1234.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW90R120C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW90R120C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW90R120C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPW90R120C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power MOSFET |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|