IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5000 шт:

---

термін постачання 161-170 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	321.61 грн
10+	266.6 грн
25+	218.54 грн
100+	187.32 грн
250+	176.69 грн
500+	166.06 грн
1000+	142.82 грн

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IQD016N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IQD016N08NM5ATMA1 за ціною від 151.61 грн до 292.3 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IQD016N08NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 3+ 271.42 грн 10+  238.99 грн 25+  226.81 грн 100+  192.93 грн 250+  151.61 грн Мінімальне замовлення: 3 купити
	IQD016N08NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 40+ 292.3 грн 46+  257.37 грн 48+  244.26 грн 100+  207.77 грн 250+  163.27 грн Мінімальне замовлення: 40 купити
	IQD016N08NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	товар відсутній	купити
	IQD016N08NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	товар відсутній	купити
	IQD016N08NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-U04 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V	товар відсутній	купити
	IQD016N08NM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-U04 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V	товар відсутній	купити