IQE065N10NM5ATMA1

IQE065N10NM5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IQE065N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c9c33bb0dae Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+87.5 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE065N10NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IQE065N10NM5ATMA1 за ціною від 79.07 грн до 203.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IQE065N10NM5ATMA1 IQE065N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQE065N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c9c33bb0dae Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 28330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.83 грн
10+ 106.48 грн
100+ 86.14 грн
500+ 79.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IQE065N10NM5ATMA1 IQE065N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQE065N10NM5_DataSheet_v02_01_EN-2942401.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+203.55 грн
10+ 168.48 грн
25+ 142.51 грн
100+ 119.2 грн
250+ 115.21 грн
500+ 105.88 грн
1000+ 85.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQE065N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqe065n10nm5-datasheet-v02_01-en.pdf SP005399446
товар відсутній