IR2118STRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 53.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2118STRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2118STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 500mA, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 250mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 125ns, Ausgabeverzögerung: 105ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції IR2118STRPBF за ціною від 55.14 грн до 144.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR2118STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2118STRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2118STRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2118STRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2118STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 125ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 3429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2118STRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2118STRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2118STRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2118STRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2118STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 125ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 3429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2118STRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Gate Drivers 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT |
на замовлення 2674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2118STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 3928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2118STRPBF | Виробник : IR |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
IR2118STRPBF | Виробник : IR | SOP8 0510+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IR2118STRPBF | Виробник : IR | SOP8 07+08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IR2118STRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |