IRF100S201 Infineon Technologies
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1600+ | 92.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF100S201 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm.
Інші пропозиції IRF100S201 за ціною від 91.86 грн до 249.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF100S201 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF100S201 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF100S201 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF100S201 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF100S201 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF100S201 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF100S201 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF100S201 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF100S201 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF100S201 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg |
на замовлення 4809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF100S201 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF100S201 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF100S201 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 136A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 441W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 255nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF100S201 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 136A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 441W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 255nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |