Технічний опис IRF240 IR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 125W; TO3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HEXFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 18A, Power dissipation: 125W, Case: TO3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції IRF240
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF240 Код товару: 40943 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
| IRF240 | Виробник : Infineon Technologies | Infineon |
товар відсутній |
||
 |
IRF240 | Виробник : Infineon (IRF) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 125W; TO3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 125W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |