IRF2804PBF Infineon Technologies
на замовлення 27599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 64.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF2804PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF2804PBF за ціною від 72.32 грн до 242.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF2804PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF2804PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF2804PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 27599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF2804PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF2804PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 280A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF2804PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 280A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 172 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF2804PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF2804PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF2804PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V |
на замовлення 5829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF2804PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 0.0023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| IRF2804PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |