Технічний опис IRF2807ZS IR
Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF2807ZS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF2807ZS | Виробник : IR |
 07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
IRF2807ZS Код товару: 186277 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
IRF2807ZS | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V |
товар відсутній |