IRF3007PBF

IRF3007PBF Infineon Technologies


irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
на замовлення 4927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
338+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 338
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3007PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF3007PBF за ціною від 55.8 грн до 145.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF3007PBF IRF3007PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3007-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
164+71.18 грн
Мінімальне замовлення: 164
IRF3007PBF IRF3007PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3007.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.96 грн
10+ 64.35 грн
14+ 59.51 грн
37+ 56.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3007PBF IRF3007PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3007-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2400+72.3 грн
Мінімальне замовлення: 2400
IRF3007PBF IRF3007PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3007.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+89.67 грн
10+ 77.22 грн
14+ 71.41 грн
37+ 68.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3007PBF IRF3007PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3007_DataSheet_v01_01_EN-1732574.pdf MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+145.69 грн
10+ 129.1 грн
100+ 90.34 грн
500+ 74.4 грн
1000+ 61.24 грн
3000+ 56.99 грн
6000+ 55.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3007PBF IRF3007PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3007-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF3007PBF IRF3007PBF Виробник : Infineon Technologies irf3007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deea2a1908 Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товар відсутній