IRF3710PBF
Код товару: 43009
Виробник: IRUds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності 852 шт:
743 шт - склад
38 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Одеса
47 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 40 грн |
10+ | 36 грн |
100+ | 32.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF3710PBF за ціною від 28.74 грн до 139.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF3710PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF3710PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF3710PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF3710PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF3710PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF3710PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF3710PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 389 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF3710PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF3710PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC |
на замовлення 3943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF3710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
на замовлення 6849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF3710PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF3710PBF | Виробник : Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF3710PBF | Виробник : International Rectifier Corporation | TO-220AB |
на замовлення 40 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF 3710PBF | Виробник : IR | 09+ TSOP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
З цим товаром купують
Контакти для HU-xx (KLS1-2.54-T, 2542-TL) Код товару: 8246 |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контакти під роз'єм з кроком 2,54мм на провід: 22-28AWG
Вилка/гніздо: Контакти / наконечники
Крок контактів: 2,54 mm
Серія роз’єма: Контакти для HU
Монтаж: на провід
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контакти під роз'єм з кроком 2,54мм на провід: 22-28AWG
Вилка/гніздо: Контакти / наконечники
Крок контактів: 2,54 mm
Серія роз’єма: Контакти для HU
Монтаж: на провід
у наявності: 50392 шт
очікується:
100000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 1 грн |
10+ | 0.6 грн |
100+ | 0.42 грн |
1000+ | 0.33 грн |
HU-2 (HU-02, KLS1-2,54-02-H) Код товару: 116608 |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо на кабель під пайку, 2 контакти, крок 2,54мм, 3А, 250VAC, (без контактів)
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 2
Крок контактів: 2,54 mm
Серія роз’єма: HU
Монтаж: на провід
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо на кабель під пайку, 2 контакти, крок 2,54мм, 3А, 250VAC, (без контактів)
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 2
Крок контактів: 2,54 mm
Серія роз’єма: HU
Монтаж: на провід
у наявності: 7247 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.3 грн |
100+ | 0.7 грн |
1000+ | 0.4 грн |
IRF5210PBF Код товару: 113380 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності: 78 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 93 грн |
10+ | 88.7 грн |
1N4007 Код товару: 176822 |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 38046 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 1 грн |
10+ | 0.6 грн |
100+ | 0.5 грн |
470uF 16V ECR 8x12mm (ECR471M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2938 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 2000 годин
товар відсутній