IRF40R207 Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 15.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF40R207 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF40R207 за ціною від 19.26 грн до 68.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF40R207 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF40R207 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF40R207 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF40R207 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF40R207 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF40R207 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 3192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF40R207 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF40R207 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V |
на замовлення 12082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF40R207 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF40R207 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF40R207 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF40R207 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF40R207 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK Drain-source voltage: 40V Drain current: 64A On-state resistance: 5.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Gate charge: 45nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF40R207 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK Drain-source voltage: 40V Drain current: 64A On-state resistance: 5.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Gate charge: 45nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK |
товар відсутній |